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		<title>Halbleiter on UV Lamp Zone</title>
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				<title>UV Lampe für Halbleiterlithografie</title>
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				<pubDate>Fri, 03 Jul 2026 10:04:32 +0800</pubDate>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://uv-lamp-zone.com/images/53e5a79b9c4789b57e4bb2caec97aea5.png&#34; alt=&#34;UV Lampe für Halbleiterlithografie&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;In einer vollautomatisierten Ellipsenbahn ist die Zeit zwischen den Trocknungsphasen entscheidend für die Leistung. Wenn die UV-Lampe innerhalb von Millisekunden keine ausreichende Energiedichte liefern kann, muss der Transportbandantrieb warten – dadurch sinkt die Produktivität. Wir haben diese Lampe speziell nach den Anforderungen der Halbleiterlithografie entwickelt, um dieses Problem zu beseitigen. Dadurch wird die Trocknungszeit verkürzt, ohne dass die Qualität der Aushärtung beeinträchtigt wird.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Was messbar ist, ist wichtig. Die Ausgangsstrahlung liegt bei 365 Nanometern – das entspricht der Absorptionsfähigkeit des Photoinitiators in UV-härtbaren Tinten und Photopolymeren. Die maximale Strahlungsintensität beträgt 12.000 mW/cm² auf der Substratoberfläche. In 300 Millisekunden können 800 mJ/cm² Energie abgegeben werden.&lt;/p&gt;</description>
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