<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Полупровідник on UV Lamp Zone</title>
		<link>http://uv-lamp-zone.com/uk/tags/%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D1%96%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA/</link>
		<description>Recent content in Полупровідник on UV Lamp Zone</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>uk</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 03 Jul 2026 10:04:32 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://uv-lamp-zone.com/uk/tags/%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D1%96%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>УФ лампа для літографії напівпровідників</title>
				<link>http://uv-lamp-zone.com/uk/posts/uv-lamp-for-semiconductor-litho/</link>
				<pubDate>Fri, 03 Jul 2026 10:04:32 +0800</pubDate>
				<guid>http://uv-lamp-zone.com/uk/posts/uv-lamp-for-semiconductor-litho/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://uv-lamp-zone.com/images/53e5a79b9c4789b57e4bb2caec97aea5.png&#34; alt=&#34;УФ лампа для літографії напівпровідників&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;На повністю автоматизованій лінії для обробки еліптичних форм важливим фактором є час тривалості процесу швидкого висушування. Якщо УФ-лампа не може забезпечити достатню щільність енергії протягом кількох мілісекунд, конвеєр змушений чекати – що призводить до зниження продуктивності. Ми розробили цю лампу з урахуванням специфікацій напівпровідникових технологій, щоб усунути цей бар’єр, скоротивши час процесу висушування без порушення якості обробки.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Важливо те, що можна виміряти. Довжина хвилі випромінювання залишається на рівні 365 нм, що відповідає спектру поглинання фотоініціаторів у УФ-затверджуваних чернилах та фотополімерах. Максимальна інтенсивність випромінювання становить 12,000 мВт/см² на поверхні матеріалу; можна досягти значення 800 мДж/см² протягом 300 мс.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
